RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.1
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
40
77
En -93% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
40
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3034
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link