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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
77
En -235% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3195
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
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