RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
77
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3929
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link