RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3673
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link