RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
77
En -166% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3501
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link