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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
77
En -166% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3291
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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