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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2776
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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