RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
77
80
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
80
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
1698
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16S/8G 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link