RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
77
En -114% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3458
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link