RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
17.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
77
En -157% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3571
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link