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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
77
En -126% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
34
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3271
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
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