RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
12.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
77
En -166% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
12.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2601
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link