RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
77
En -185% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
27
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2809
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link