RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3634
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N2 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link