RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
77
En -175% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
28
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3594
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link