RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
77
En -166% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
29
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2609
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641162 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3333C16 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Informar de un error
×
Bug description
Source link