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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
77
En -141% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
32
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2740
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
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G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
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