RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
50
77
En -54% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.5
2,622.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
50
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
7.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2064
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston KHX1600C9D3LK2/4GX 2GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
‹
›
Informar de un error
×
Bug description
Source link