RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
77
En -208% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
25
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
2489
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link