RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Compara
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Puntuación global
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Puntuación global
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
19.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
77
En -328% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
5300
En 3.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
77
18
Velocidad de lectura, GB/s
3,405.2
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
2,622.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
17000
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
763
3597
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Comparaciones de la memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905402-015.A05LF 1GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link