RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.9
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
14.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3460
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link