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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
55
En 35% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
55
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2665
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
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