RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
55
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
55
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2665
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link