RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
36
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
10.3
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
28
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3535
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link