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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
36
En -20% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
17000
En 1.51 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
7.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
25600
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2154
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
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