RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Kingston K6VDX7-HYD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
36
Около -20% меньшая задержка
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
30
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.3
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
25600
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2154
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link