RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingston K6VDX7-HYD 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
30
Около 20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
7.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
30
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
7.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2154
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
King Tiger Technology Tigo-2400MHz-4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
INTENSO 5641160 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link