RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
36
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
33
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
3181
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link