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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En 45% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.8
15
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
65
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
15.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
17000
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
1932
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
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