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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
65
左右 45% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.8
15
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
65
读取速度,GB/s
15.0
15.8
写入速度,GB/s
10.3
8.5
内存带宽,mbps
17000
17000
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
1932
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
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Corsair CMSX8GX3M2B1600C9 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
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