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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
40
En 10% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
40
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2340
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
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