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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Puntuación global
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
15.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
11.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
21300
En 1.1 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
15.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
23400
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2497
3245
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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