RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Porównaj
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
36
Wokół strony -33% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
21300
Wokół strony 1.1 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
23400
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2497
3245
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link