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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
15.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
11.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
21300
Intorno 1.1 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
27
Velocità di lettura, GB/s
15.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
23400
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2497
3245
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
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