RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сравнить
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB против Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
21300
Около 1.1 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
23400
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2497
3245
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]183 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link