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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de -33% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
15.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
11.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
21300
Por volta de 1.1 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
27
Velocidade de leitura, GB/s
15.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
11.8
12.0
Largura de banda de memória, mbps
21300
23400
Other
Descrição
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2497
3245
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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