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Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparez
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Note globale
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
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Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
36
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
21300
Autour de 1.1 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
27
Vitesse de lecture, GB/s
15.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
12.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
23400
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2497
3245
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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