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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Compara
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Puntuación global
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Razones a tener en cuenta
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
36
En -57% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.3
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
10.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
23
Velocidad de lectura, GB/s
15.0
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
10.3
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
19200
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2569
2637
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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