Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Puntuación global
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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Puntuación global
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB

Diferencias

  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    18 left arrow 48
    En -167% menor latencia
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    20.5 left arrow 8.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    16.2 left arrow 5.9
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    48 left arrow 18
  • Velocidad de lectura, GB/s
    8.9 left arrow 20.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    5.9 left arrow 16.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    1420 left arrow 3564
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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