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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Compara
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Puntuación global
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
64
En -178% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
64
23
Velocidad de lectura, GB/s
4,651.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
2,256.8
12.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
837
2938
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
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