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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Confronto
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,256.8
12.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
64
Intorno -178% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
64
23
Velocità di lettura, GB/s
4,651.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,256.8
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
837
2938
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
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