RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,256.8
12.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
64
Около -178% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
64
23
Скорость чтения, Гб/сек
4,651.3
17.0
Скорость записи, Гб/сек
2,256.8
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
837
2938
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Сравнения RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link