RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
46
Около -53% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
3200
Около 5.31 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
30
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
17.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
17000
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
4156
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link