RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.0
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2938
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link