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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Compara
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En 6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
15
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
36
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2763
2664
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
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