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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
比较
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
总分
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
34
36
左右 6% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
15
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
17000
左右 1.25 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
36
读取速度,GB/s
15.4
15.0
写入速度,GB/s
11.5
11.5
内存带宽,mbps
17000
21300
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2763
2664
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
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