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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB vs Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
23
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.9
9.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2591
2591
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
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