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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
38
En -9% menor latencia
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
38
35
Velocidad de lectura, GB/s
16.5
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
25600
25600
Other
Descripción
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2829
2488
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
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