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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
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Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
総合得点
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
総合得点
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
16.5
15.1
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.9
9.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
38
周辺 -9% 低遅延
仕様
技術仕様の完全リスト
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
38
35
読み出し速度、GB/s
16.5
15.1
書き込み速度、GB/秒
10.9
9.2
メモリ帯域幅、mbps
25600
25600
Other
商品説明
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
タイミング / クロック速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2829
2488
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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