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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
34
En -62% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.8
10.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
34
21
Velocidad de lectura, GB/s
15.4
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
10.7
13.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2739
3167
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
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